Dispositivos Electrónicos: Problemas resueltos (2ª Edición)

PREFACIO

CAPÍTULO 1. ESTADOS ELECTRÓNICOS Y BANDAS DE ENERGÍA EN SEMICONDUCTORES
1.1 REDES CRISTALINAS I
1.2 REDES CRISTALINAS II
1.3 ÍNDICES DE MILLER
1.4 ESTRUCTURA DE BANDAS I
1.5 ESTRUCTURA DE BANDAS II
1.6 ESTRUCTURA DE BANDAS III
1.7 CÁLCULO DE VELOCIDADES Y MASAS EFECTIVAS
1.8 TRANSPORTE DE PORTADORES EN UN CAMPO ELÉCTRICO
1.9 DENSIDAD DE ESTADOS ENERGÉTICOS. SEMICONDUCTOR TRIDIMENSIONAL
1.10 DENSIDAD DE ESTADOS ENERGÉTICOS. SEMICONDUCTOR BIDIMENSIONAL
1.11 ESTADÍSTICA DE SEMICONDUCTORES
1.12 CENTROS TRIPOLARES
1.13 EFECTO HALL
1.14 CENTROS PROFUNDOS
1.15 GENERACIÓN Y RECOMBINACIÓN DE PORTADORES
1.16 RECOMBINACIÓN AUGER
1.17 PROBLEMAS PROPUESTOS

CAPÍTULO 2. TRANSPORTE EN SEMICONDUCTORES
2.1 PSEUDONIVELES DE FERMI
2.2 TIEMPOS DE RELAJACIÓN
2.3 ECUACIONES DE CONTINUIDAD I
2.4 ECUACIONES DE CONTINUIDAD II
2.5 EVOLUCIÓN TEMPORAL DEL EXCESO DE PORTADORES
2.6 IONIZACIÓN POR IMPACTO
2.7 PROBLEMAS PROPUESTOS

CAPÍTULO 3. LA UNIÓN METAL-SEMICONDUCTOR
3.1 RELACIÓN ENTRE CARGAS, POTENCIALES Y CORRIENTES
3.2 UNIÓN METAL-SEMICONDUCTOR EN CIRCUITOS
3.3 CÁLCULO DEL POTENCIAL EN DIODOS METAL-SEMICONDUCTOR INTRÍNSECO-SEMICONDUCTOR DOPADO
3.4 UNIONES METAL-SEMICONDUCTOR ÓHMICAS
3.5 CÁLCULO DE LA CAPACIDAD DE TRANSICIÓN. ESTUDIO DE LOS PERFILES DE DOPADO
3.6 PROBLEMAS PROPUESTOS

CAPÍTULO 4. LA UNIÓN PN
4.1 RELACIÓN ENTRE CARGAS, POTENCIALES Y CORRIENTES
4.2 MODELO DE GRAN SEÑAL DEL DIODO, RESISTENCIA INTERNA
4.3 CORRIENTES DE GENERACIÓN Y RECOMBINACIÓN
4.4 CAPACIDAD DE LA UNIÓN PN Y CÁLCULO DE PERFILES DE DOPADO
4.5 MODELO DE CONTROL DE CARGA, TIEMPO DE ALMACENAMIENTO
4.6 PROBLEMAS PROPUESTOS

CAPÍTULO 5. EL TRANSISTOR BIPOLAR
5.1 CARGAS Y CORRIENTES EN EL TRANSISTOR BIPOLAR
5.2 POLARIZACIÓN DE TRANSISTORES PNP
5.3 MODELO DE PEQUEÑA SEÑAL DEL TB
5.4 TRANSISTOR BIPOLAR DE DERIVA, DOPADO DE BASE NO UNIFORME. TRANSISTORES DE BASE GRADUAL 7
5.5 ROTURA EN UN TRANSISTOR BIPOLAR POR MULTIPLICACIÓN EN AVALANCHA Y PUNCHTHROUGH
5.6 PROBLEMAS PROPUESTOS

CAPÍTULO 6. ESTRUCTURA METAL-AISLANTE-SEMICONDUCTOR
6.1 RELACIÓN ENTRE CARGA Y POTENCIAL
6.2 FUERTE INVERSIÓN. TENSIÓN UMBRAL
6.3 DÉBIL INVERSIÓN. EFECTO DE LOS ESTADOS DE SUPERFICIE
6.4 CAPACIDADES EN LA ESTRUCTURA MIS
6.5 PROCESOS DE GENERACIÓN Y RECOMBINACIÓN EN LA ESTRUCTURA MIS
6.6 PROCESOS DE FORMACIÓN DE CARGA ESTÁTICA EN LA PUERTA Y RUPTURA DEL AISLANTE DE LA ESTRUCTURA MIS
6.7 CÁLCULO DEL POTENCIAL EN UNA ESTRUCTURA MIS DE DOBLE PUERTA SIMÉTRICA
6.8 PROBLEMAS PROPUESTOS

CAPÍTULO 7. TRANSISTORES DE EFECTO CAMPO
7.1 TRANSISTORES DE EFECTO CAMPO DE UNIÓN I
7.2 TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO DE UNIÓN II. REGIÓN DE SATURACIÓN
7.3 TRANSISTOR MOSFET
7.4 ESTUDIO DEL EFECTO CUERPO EN TRANSISTORES MOSFET
7.5 CORRIENTE SUB-UMBRAL. MOSFET EN INVERSIÓN DÉBIL
7.6 MODULACIÓN DE LA LONGITUD DEL CANAL
7.7 SATURACIÓN DE LA VELOCIDAD DE LOS PORTADORES EN EL CANAL
7.8 EFECTOS DE CANAL CORTO Y ESTRECHO
7.9 MODELO DE PEQUEÑA SEÑAL
7.10 MOSFET EN CIRCUITOS
7.11 TRANSISTOR MOSFET SOI
7.12 PROBLEMAS PROPUESTOS

CAPÍTULO 8. DISPOSITIVOS OPTOELECTRÓNICOS
8.1 ABSORCIÓN ÓPTICA DE UN SEMICONDUCTOR
8.2 FOTOCONDUCTOR
8.3 CÉLULAS SOLARES I
8.4 CÉLULAS SOLARES II
8.5 PROBLEMAS PROPUESTOS

APÉNDICE A. TABLAS

TABLA 1. CONSTANTES FÍSICAS EN LAS UNIDADES USUALES UTILIZADAS EN ELECTRÓNICA FÍSICA Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS. ECUACIONES FUNDAMENTALES

TABLA 2. SÍMBOLOS UTILIZADOS PARA REPRESENTAR LAS DISTINTAS MAGNITUDES FÍSICAS

TABLA 3. VALOR DE LOS PARÁMETROS MÁS COMUNES EN SEMICONDUCTORES USUALES EN LA INDUSTRIA MICROELECTRÓNICA
(SZE, 2007; MULLER Y KAMINS, 1977) A T=300K

TABLA 4.1. NIVELES DE ENERGÍA DE LAS IMPUREZAS ELEMENTALES EN SILICIO (SZE, 2007; MULLER Y KAMINS, 1977)

TABLA 4.2. FUNCIONES TRABAJO PARA METALES INTERESANTES EN LA INDUSTRIA MICROELECTRÓNICA

TABLA 4.3. SUBMÚLTIPLOS

TABLA 4.4. RELACIÓN DE EINSTEIN

TABLA 5. DISTINTAS CONFIGURACIONES DE LA UNIÓN METAL-SEMICONDUCTOR

TABLA 6. EXPRESIONES ÚTILES PARA EL ESTUDIO DE LA UNIÓN PN ABRUPTA Y LINEAL

TABLA 7. EXPRESIONES ÚTILES PARA EL ESTUDIO DEL BJT IDEAL CON DOPADO CONSTANTE EN LAS ZONAS DE EMISOR, BASE Y COLECTOR

TABLA 8. EXPRESIONES ÚTILES PARA EL ESTUDIO DEL MOSFET IDEAL CON DOPADO CONSTANTE DE SUSTRATO NOTAS AL CONCEPTO Y LA DEFINICIÓN DE TENSIÓN UMBRAL

APÉNDICE B. CÁLCULOS USUALES

B1. MÉTODOS DE RESOLUCIÓN DE ECUACIONES NO LINEALES

B2. TEOREMA DE GAUSS PARA EL CÁLCULO DEL CAMPO ELÉCTRICO EN UN SEMICONDUCTOR

B3. CÁLCULO DEL CAMPO ELÉCTRICO EN ESTRUCTURAS DONDE LA DENSIDAD DE CARGA DEPENDE DEL POTENCIAL ELÉCTRICO

B4. CÁLCULO SENCILLO DE DIFERENCIAS DE POTENCIAL EN UNA ESTRUCTURA SEMICONDUCTORA
REFERENCIAS
ÍNDICE ALFABÉTICO